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儀器簡介：

全球?qū)I(yè)的沉積設備制造商，為各個領域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD

磁控濺射系統(tǒng)：

1.靜態(tài)濺射系統(tǒng)（Static Sputtering System）

2.磁控共濺鍍系統(tǒng)（Co-Sputtering System）

3.反應射頻磁控濺射系統(tǒng)（Reactive Sputtering System）

4.Rotating Planarity Sputtering System

5.Rotating Drum Sputtering System

6.Cluster Tool Sputtering System

7.在線濺射系統(tǒng)（In-line Sputtering System）

技術參數(shù)：

1.磁控濺射槍和電源：

?圓形濺射槍

--濺射槍：1， 2， 3， 4， 5， 6， 8， 10， 12， 13 inch

--超高真空濺射槍：1， 2， 3， 4 inch

?永磁體：NdFeB

--固定磁體：薄膜均勻性<±3.0 %

--移動磁體：薄膜均勻性<±1.5 %

?陰極：OFHC Copper

?矩形濺射槍

--寬：1，5 to 4 inch (to 10 inch for double erosion)

--長度：5 to 25 inch (to 120 inch for large planar area deposition)

--永磁體：NdFeB

--陰極：OFHC Copper

?電源

?直流電源：1 to 20 kW

?中頻電源: 1 to 20 kW

?射頻電源：0.3 to 15 kW

2.薄膜沉積控制：

?IC-5 and PC Control

--沉積參數(shù)控制

--石英晶體振蕩傳感器-Single， dual or six sensor

?膜厚監(jiān)控和沉積過程計算機控制

?膜厚監(jiān)控和沉積速率計算機控制

?大面積沉積（如 ITO上沉積LCD）

?可升級為在線磁控濺射系統(tǒng)

?基底尺寸：20 up to 120 inch

?質(zhì)量流量和自動壓力控制

--質(zhì)量流量控制器：多種氣體控制

?Baratron真空規(guī)：用于等離子體處理

?節(jié)流閥和控制器

3.真空室：

?圓柱形腔體

--直徑: φ300 ~ 2，000 (Substrate : 2 to 12 inch， 1 to 400 sheets)

--高度: 500 mm

?方形腔體

?根據(jù)客戶需求定制

?帶自動樣品遞送裝置的Loadlock樣品加載室

4.真空泵和測量裝置：

?低真空：干泵和convectron真空規(guī)

?高真空：渦輪分子泵，低溫泵和離子規(guī)

5.控制系統(tǒng)：

?硬件：PLC和計算機觸摸屏控制

?自動和手動沉積控制

主要特點：

?射頻電源：基底預先清洗和等離子體輔助沉積

?溫度控制器：基底加熱

?大面積基底傳送裝置

?冷卻系統(tǒng)