粉體行業在線展覽
定制-電漿輔助化學氣相沉積系統-詳情15345079037
面議
毅睿
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電漿輔助化學氣相沉積系統
電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD)
Plasma - Enhanced Chemical Vapor Deposition
基板尺寸:10x10cm或其他尺寸
濺鍍源:13.56 MHz RF 或2.45 GHz微波
基板加溫:Max800℃
自動製程
Description:
基板尺寸:6”Wafer或其他尺寸
電漿源:13.56 MHz RF & Bias
基板加溫:Max350℃
氣體:SiH4,NH3,N2O,Ar,N2,CF4,O2...
自動壓力控制器
用途:SiO2,SiXNX ... etc.,
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
自動劃片機
BTF-1200C-RTP-CVD
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
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HSE系列等離子刻蝕機