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主要優勢

在CMP步驟之后，需要在低溫下使用稀釋的化學品進行物理預清洗工藝，以減少顆粒數量。盛美上海的Post-CMP清洗設備能夠滿足這些要求，并提供多種配置，包括盛美上海自主研發的 Smart MegasonixTM先進清洗技術。

特性和規格（Ultra C WPN（WIDO））

在線預清洗設備：
　　　　可實現37納米以下少于15個剩余顆?；?8納米以下
　　　　20-25個剩余顆粒
　　　　金屬污染可控制在1E+8（原子/平方厘米）以內
　　　　當配置4個腔體的時候，產能可達每小時35片晶圓

離線預清洗設備：
　　　　可實現37納米以下少于15個剩余顆?；?8納米以下
　　　　20-25個剩余顆粒
　　　　占地面積小

特性和規格（Ultra C WPN（DIDO））

可配置四個裝載端口

占地面積小

可配置四或六個腔體，分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體

可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下20-25個剩余顆粒

**產能可達每小時60片晶圓