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熱點檢測微光顯微鏡THEMOS系列

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濱松光子學商貿(中國)有限公司

日本

產品規格型號
參考報價:

面議

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769

產品介紹

mini是一款發熱顯微鏡,配備了高靈敏度InSb相機,可探測半導體器件的內部發熱。通過將高精度熱探測器探測到的發熱圖與模板圖像疊加,可高精度地識別失效位置。

特性

高靈敏度是通過以下方式獲得的:

  • InSb相機在3 μm到5 μm波段內具有高靈敏度

  • 專為3 μm 到 5 μm波段優化的鏡頭設計

  • 使用lock-in功能(選配)實現低噪聲

  • 使用斯特林循環冷卻器實現高制冷性能

  • 噪聲等效溫差(NETD)只有20mK

高分辨率是通過以下方式獲得的:

  • InSb相機為640 × 512像素(像素尺寸:15μm)

  • 可選擇熱納米鏡頭(選配)

使用窗口功能,可獲得高速探測能力

視頻功能

連接測試機,可獲得動態分析功能

系統結構靈活,可進行微觀到宏觀的觀測

與PHEMOS、μAMOS系列一樣具有用戶友好型操作

全系列的選配選項

應用

  • 金屬布線短路

  • 接觸孔異常

  • 氧化物層微等離子體泄露

  • 氧化物層擊穿

  • TFT-LCD泄露/有機EL泄露定位

  • 器件開發過程中溫度異常監測

  • 器件和PC板的溫度映射

溫度測量功能

在器件設計早期,通過獲取器件工作時的溫度信息,反饋回設計流程,可以縮短器件驗證時間,也可增強產品可靠性。在觀測基于工作環境的溫度行為改變上,該功能也很有用。通過增加U11389溫度測量功能,便可以方便地獲得該測量功能。

宏觀分析

新研發的0.29×紅外鏡頭可提供無水仙現象、無陰影的清晰視場圖像。

熱納米鏡頭系統(Thermal NanoLens System)

熱納米鏡頭系統因為高數值孔徑,大大提高了光校正效率和分辨率。通過在樣品(即便樣品表面平整度很差)和透鏡之間施加顯微鏡浸潤油來獲取高數值孔徑。使用操縱器來簡化納米透鏡系統的設計,可使工作設備的更新更簡單。

LSI測試機對接

半導體器件變得越來越復雜,因此必須通過與LSI測試機對接來初始化采樣測量、設置特殊條件。安裝專用探針卡適配器后,可以用線纜與LSI測試機對接,執行分析。

激光標記

在定位后的失效點附近進行標記,或者在失效點周圍的四個點進行標記,可以輕松地將失效點的位置信息傳輸到其他的分析設備上。

測量示例

案例研究:封裝器件觀測

案例研究:對器件一側開口進行失效層觀測

案例研究:CMOS觀測

發現凸球下的缺陷

案例研究:PCB和封裝器件之間的布線失效

在打開封裝之前觀測熱源;打開封裝以后獲取相位圖像以縮小熱源范圍。

參數

尺寸/重量880 mm(W)×840 mm(D)×1993 mm(H), Approx. 450 kg

PC桌:700 mm(W)×700 mm(D)×700 mm(H), Approx. 50 kg

線電壓AC220 V (50 Hz/60 Hz)
功耗約 700W
真空度約80 kPa或更大
壓縮空氣0.5 MPa to 0.7 MPa

系統配置

C9985-04 InSb相機標配
自動平臺控制手動
標準透鏡0.8×、4×、15×
樣品平臺HPK 平臺 (8英寸)
探測目鏡標配
探測鏡頭NIR 5×
抗震桌標配
THEMOS分析軟件標配
FOV(mm)12×9.6 to 0.64×0.51
目標PCB*,晶片(可達12英寸),Si 片, 封裝

*:集成0.29×物鏡時。

功能

熱lock-in測量選配
3D-IC測量選配
熱測量功能選配
熱納米鏡頭選配
視頻功能標配
外部觸發標配
窗口功能標配

光學系統

物鏡/微距鏡頭N.A.WD(mm)FOV(mm)配置
MWIR 0.29×0.0481233×26td>選配
MWIR 0.8×0.132212.0×9.6標配
MWIR 4×0.52252.4×1.9標配
MWIR 8×0.75151.2×0.96選配
MWIR 15×0.71150.64×0.51標配
MWIR 30×0.71130.32×0.26選配
M Plan NIR 5×0.1437.52.6×2.6標配

外形圖(單位:mm)

產品咨詢

熱點檢測微光顯微鏡THEMOS系列

濱松光子學商貿(中國)有限公司

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