粉體行業在線展覽
脈沖激光沉積設備—PLD-400
面議
致真精密
脈沖激光沉積設備—PLD-400
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脈沖激光沉積設備是高校和科研院所常用的氧化物和多組分薄膜沉積設備,該設備具有簡單可靠、運行穩定的特點。PLD-400型脈沖激光沉積設備,標配6個1inch靶材,靶材可以原位更換,配合RHEED和準分子激光器可以實現高質量薄膜的沉積。
性能參數
晶圓尺寸 | 2inch |
極限真空 | 5×10-9mbar |
溫控 | RT-1200℃ |
靶臺數量 | 6個1inch 靶材或3個2inch靶材 靶臺公自轉設計(可單獨旋轉) |
靶材更換 | 原位更換靶材 |
激光源 | 準分子激光器 |
常用材料 | BFO、SRO、VO2等 |
占地面積 | 3m L*2m W*2m H |
可選 | 自動傳輸、反應沉積、膜厚儀、工藝菜單、高壓RHEED等 |
觀察窗擋板
傾斜式高溫樣品臺
蒸發源
圓形互聯設備(外置機械臂、內置機械臂)
兩個鍍膜系統直接互聯設備
超高真空管道傳輸設備
晶圓真空傳輸平臺—VTM
量產型磁控濺射設備—MSI-200
生產型磁控濺射設備—MSI-100-UHV
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分子束外延設備—MBE-400