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量產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-200

直接聯(lián)系

合肥致真精密設(shè)備有限公司

安徽

產(chǎn)品規(guī)格型號

參考報(bào)價(jià)：

面議

品牌：

致真精密

型號：

量產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-200

關(guān)注度：

527

產(chǎn)品介紹

生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備是針對生產(chǎn)企業(yè)實(shí)驗(yàn)室和產(chǎn)線研發(fā)的一系列高性能、高效率的磁控濺射裝備。MSI-200型磁控濺射設(shè)備采用多個真空腔室互聯(lián)的設(shè)計(jì)，通過晶圓真空傳輸平臺實(shí)現(xiàn)晶圓的傳輸，可搭配多個濺射室或處理腔室，適用于生產(chǎn)產(chǎn)線或?qū)嶒?yàn)線。

性能參數(shù)

晶圓尺寸	8~12吋
鍍膜均勻性	優(yōu)于±3%
極限真空	優(yōu)于5×10-9mbar（工藝室PM）優(yōu)于5×10-7mbar（傳輸室TM）優(yōu)于5×10-6mbar（進(jìn)樣室Load lock）
樣品臺溫控	RT-800℃，可選RT-1200℃
工藝室	預(yù)清洗室、濺射室、退火室、低溫室、蒸發(fā)室、氧化室等
傳輸室	可選四邊形、六邊形或八邊形腔室，可實(shí)現(xiàn)多個傳輸室互聯(lián)，配置雙臂或單臂機(jī)械臂，配置校準(zhǔn)和測量裝置
進(jìn)樣室	8或12吋晶圓，可選EFEM等前端模塊
濺射室陰極數(shù)量	6-12個4inch陰極
沉積精度	0.1nm
	詳細(xì)配置可咨詢業(yè)務(wù)人員

客戶案例1

客戶制備： Sub/Ta/Mo/MgO/CoFeB/Mo/CoFeB/MgO/Mo多層薄膜

磁性金屬/金屬/磁性金屬構(gòu)成反鐵磁耦合結(jié)構(gòu)的表征圖

客戶案例2

客戶通過沉積Ti膜測試8inch晶圓均勻性，分別在圓心、4 inch、6 inch和8 inch處分別置放10cm*10cm硅片，獲得七個位置的薄膜厚度，其中**結(jié)果不均勻性達(dá)1.9%，獲得客戶好評。
（4英寸陰極濺射8英寸晶圓，平均薄膜厚度為49nm左右，均勻性1.9%，該指標(biāo)為目前國際**水平）

均勻性測試表征圖

產(chǎn)品咨詢

量產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-200

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