粉體行業在線展覽
電鍍設備L
面議
盛美半導體
電鍍設備L
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該設備集成了預濕和后清洗腔,支持用于銅、鎳和錫銀的銅柱和焊料,以及重分布層 (RDL) 和凸點下金屬化 (UBM) 工藝。
兼容6吋以及8吋平臺
水平式電鍍,無交叉污染
真空下正面噴淋式預濕腔體
第二陽極技術Flat 區域高度可控
模塊化設計
可配置2個Open Cassette
晶圓尺寸: 150mm, 159mm, 200mm
可配置預濕腔體、清洗腔體及電鍍腔體Cu,Ni, SnAg等
設備尺寸:1850x4150x2450 mm
Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV
工藝性能:
片內均勻性:<5% (3 sigma)
片間均勻性:< 3%
重復性:< 3%
該設備提供金凸塊、薄膜和深通孔工藝,集成預濕和后清洗腔。設備采用盛美上海久經考驗的柵板技術進行深孔電鍍,以提高階梯覆蓋率。
兼容6吋以及8吋平臺
水平式電鍍,無交叉污染
腔體氛圍氮氣保護
真空下正面噴淋式預濕腔體
第二陽極技術Flat 區域高度可控
模塊化設計
適用于Au 凸塊, Au薄膜, Au 深孔電鍍
良好的深孔臺階覆蓋性能
可配置2個Open Cassette及1個真空手臂
晶圓尺寸: 150mm, 159mm, 200mm
可配置預濕腔體、清洗腔體及電鍍腔體Au
設備尺寸:1850x3850x2450 mm
Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV
工藝性能:
片內均勻性:<5% (3 sigma)
片間均勻性:< 3%
重復性: <3%
TEM 熱、電、氣、液、冷凍樣品桿
合金分析儀
SHM1000
其他
NAI-ZLY-4/6C
CX-100
EMC-1
HMYX-2000
GPZT-JH10/4W
NJ-80型
X-300 X-FLUXER? 三位全自動熔片儀
NVT-HG型 單晶生長爐