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美Nisene PlasmaEtch 等離子開封機(jī)：

主要原素：

。優(yōu)化開封芯片

。開封處理程序快速

。高刻蝕率及低成本

。符合環(huán)保要求

優(yōu)點(diǎn)：

。對銅線和銀線無作傷害

。開封處理程序快速

。高刻蝕率及低成本

。符合環(huán)保要求

Nisene 是一家專業(yè)從事失效分析開封設(shè)備的美國公司，有著三十多年自動(dòng)開封研發(fā)制造歷史。 作為自動(dòng)塑封開封技術(shù)的世界***，Nisene 提供全面的產(chǎn)品，方法和技術(shù)支持來滿足所有半導(dǎo)體器件的開封要求。 公司不斷提供創(chuàng)新的，高質(zhì)量的產(chǎn)品來滿足不斷變化的半導(dǎo)體器件失效性分析領(lǐng)域內(nèi)的需求。

Nisene取得三項(xiàng)****!

Nisene在三種不同開封設(shè)備產(chǎn)品/制程中取得三項(xiàng)****， 包含:

CuProtect Process - U.S. Patent 8，945，343 B2 - Decapsulation with an applied voltage.

TotalProtect Process - U.S. Patent 9，543，173 B2 - Decapsulation with an applied voltage and cooling system.

PlasmaEtch Process - U.S. Patent 9，548，227 B2 - Microwave - induced plasma using plasma discharge tube.