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電子束蒸發(fā)設(shè)備—E-Beam-HV
面議
致真精密
電子束蒸發(fā)設(shè)備—E-Beam-HV
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電子束蒸發(fā)設(shè)備可以在高真空和超高真空環(huán)境下實(shí)現(xiàn)精確的多層薄膜制備。線性電子束槍可以實(shí)現(xiàn)多種材料的蒸發(fā)。設(shè)備可選配考夫曼離子源實(shí)現(xiàn)晶圓的預(yù)清洗,可用于超導(dǎo)量子等領(lǐng)域,適用于高校及企業(yè)研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)場(chǎng)合。
性能參數(shù)
晶圓尺寸 | 4inch~8inch |
極限真空 | 優(yōu)于1×10-7mbar |
溫控 | RT-800℃ |
電子束槍 | 多坩堝旋轉(zhuǎn)電子束槍,可選配坩堝數(shù)量和容量(標(biāo)配,10KW,8×20cc) |
六大特色 懂你所需
企業(yè)/高校性能之選
測(cè)試案列
隨著超導(dǎo)量子計(jì)算的發(fā)展,高校實(shí)驗(yàn)室和企業(yè)對(duì)于超導(dǎo)量子電路的核心器件——約瑟夫森結(jié)有著極高的制備要求。該設(shè)備可專門用于制備Al基、Nb基等各類約瑟夫森結(jié),以下是制備的約瑟夫森結(jié)的光學(xué)照像。
約瑟夫森結(jié)的光學(xué)圖像
溫度測(cè)試
下圖是加熱臺(tái)溫度測(cè)試圖,加熱臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)**800攝氏度的晶圓加熱,并且電子束蒸發(fā)過程中溫升較低,滿足不同材料的沉積需求。
觀察窗擋板
傾斜式高溫樣品臺(tái)
蒸發(fā)源
圓形互聯(lián)設(shè)備(外置機(jī)械臂、內(nèi)置機(jī)械臂)
兩個(gè)鍍膜系統(tǒng)直接互聯(lián)設(shè)備
超高真空管道傳輸設(shè)備
晶圓真空傳輸平臺(tái)—VTM
量產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-200
生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-100-UHV
生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-100-HV
量產(chǎn)級(jí)多功能薄膜沉積設(shè)備
分子束外延設(shè)備—MBE-400
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
HSE系列等離子刻蝕機(jī)