粉體行業(yè)在線展覽
煤炭行業(yè)專用儀器
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金屬與冶金行業(yè)專用儀器
專用設(shè)備
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生物工程設(shè)備
細(xì)胞生物學(xué)儀器
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純化設(shè)備
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氣體發(fā)生器/氣體處理
實(shí)驗(yàn)室家具
制冷設(shè)備
測(cè)厚儀
測(cè)量/計(jì)量?jī)x器
實(shí)驗(yàn)室服務(wù)
其他
包裝行業(yè)專用儀器
建筑工程儀器
鋰電行業(yè)專用測(cè)試系統(tǒng)
農(nóng)業(yè)和食品專用儀器
危險(xiǎn)化學(xué)品檢測(cè)專用儀器
藥物檢測(cè)專用儀器
SiC高溫退火設(shè)備
面議
山東力冠
SiC高溫退火設(shè)備
342
技術(shù)指標(biāo)/Technical Indicators:
晶片尺寸: 4/6英寸 Wafer size: 4/6 inches | 工作溫度范圍: 800-2000°C Perating temperature range: 800-2000°C |
裝片量: 50/80片 Loading capacity: 50/80 tablets |
應(yīng)用范圍/Scope:
? 用于SiC基半導(dǎo)體材料的離子激活和退火處理
lon activation and annealing treatment for SiC-based semiconductor materials
石墨烯卷對(duì)卷設(shè)備
石墨烯薄膜CVD設(shè)備
晶體提拉設(shè)備
LPE外延爐
真空退火設(shè)備
氧化/擴(kuò)散設(shè)備
PECVD 設(shè)備 臥式
LPCVD 設(shè)備立式
LPCVD 臥式
坩堝下降設(shè)備
SiC高溫退火設(shè)備
SiC高溫氧化設(shè)備
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
HSE系列等離子刻蝕機(jī)