粉體行業在線展覽
LPCVD 低壓化學氣相沉積設備
面議
鵬城微納
LPCVD 低壓化學氣相沉積設備
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LPCVD低壓化學氣相沉積設備(科研型LPCVD)簡介
是在低壓高溫的條件下,通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。
設備結構及特點
1、小型化,方便實驗室操作和使用,大幅降低實驗成本
兩種基片尺寸2英寸或4英寸;每次裝片1~3片。
基片放置方式:配置三種基片托架,豎直、水平臥式、帶傾角。
基片形狀類型:不規則形狀的散片、φ2~4英寸標準基片。
2、設備為水平管臥式結構
由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統、真空系統、氣路系統、溫控系統、壓力控制系統及氣瓶柜等系統組成。
反應室由高純石英制成,耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設備電控部分采用了先進的檢測和控制系統,量值準確,性能穩定、可靠。
LPCVD設備主要技術指標
類型 | 參數 |
---|---|
成膜類型 | Si3N4、Poly-Si、SiO2等 |
**溫度 | 1200℃ |
恒溫區長度 | 根據用戶需要配置 |
恒溫區控溫精度 | ≤±0.5℃ |
工作壓強范圍 | 13~1330Pa |
膜層不均勻性 | ≤±5% |
基片每次裝載數量 | 標準基片:1~3片;不規則尺寸散片:若干 |
壓力控制 | 閉環充氣式控制 |
裝片方式 | 手動進出樣品 |
LPCVD低壓化學氣相沉積設備(生產型LPCVD)簡介
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整個工藝過程由計算機對全部工藝流程進行管理,實現爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數進行監測和自動控制。也可以手動控制。
設備主要技術指標
類型 | 參數 |
---|---|
成膜類型 | Si3N4、Poly-Si、SiO2等 |
**溫度 | 1200℃ |
恒溫區長度 | 根據用戶需要配置 |
恒溫區控溫精度 | ≤±0.5℃ |
工作壓強范圍 | 13~1330Pa |
膜層不均勻性 | ≤±5% |
基片每次裝載數量 | 100片 |
設備總功率 | 16kW |
冷卻水用量 | 2m3/h |
壓力控制 | 閉環充氣式控制 |
裝片方式 | 懸臂舟自動送樣 |
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