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LPCVD 低壓化學氣相沉積設備

LPCVD 低壓化學氣相沉積設備

直接聯系

鵬城微納技術(沈陽)有限公司

沈陽

產品規格型號
參考報價:

面議

品牌:

鵬城微納

型號:

LPCVD 低壓化學氣相沉積設備

關注度:

475

產品介紹

產品詳情

LPCVD低壓化學氣相沉積設備(科研型LPCVD)簡介

是在低壓高溫的條件下,通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。

設備結構及特點

1、小型化,方便實驗室操作和使用,大幅降低實驗成本
兩種基片尺寸2英寸或4英寸;每次裝片1~3片。

基片放置方式:配置三種基片托架,豎直、水平臥式、帶傾角。

基片形狀類型:不規則形狀的散片、φ2~4英寸標準基片。

2、設備為水平管臥式結構

由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統、真空系統、氣路系統、溫控系統、壓力控制系統及氣瓶柜等系統組成。

反應室由高純石英制成,耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設備電控部分采用了先進的檢測和控制系統,量值準確,性能穩定、可靠。


LPCVD設備主要技術指標

 類型參數 
 成膜類型

 Si3N4、Poly-Si、SiO2

 **溫度 1200℃
 恒溫區長度 根據用戶需要配置
 恒溫區控溫精度 ≤±0.5℃
 工作壓強范圍 13~1330Pa
 膜層不均勻性 ≤±5%
 基片每次裝載數量 標準基片:1~3片;不規則尺寸散片:若干
 壓力控制 閉環充氣式控制
 裝片方式 手動進出樣品




LPCVD低壓化學氣相沉積設備(生產型LPCVD)簡介

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整個工藝過程由計算機對全部工藝流程進行管理,實現爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數進行監測和自動控制。也可以手動控制。

設備主要技術指標

 類型參數 
 成膜類型

Si3N4、Poly-Si、SiO2

 **溫度 1200℃
 恒溫區長度 根據用戶需要配置
 恒溫區控溫精度 ≤±0.5℃
 工作壓強范圍 13~1330Pa
 膜層不均勻性 ≤±5%
 基片每次裝載數量 100片
 設備總功率 16kW
 冷卻水用量 2m3/h
 壓力控制 閉環充氣式控制
 裝片方式 懸臂舟自動送樣


LPCVD軟件控制界面


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